半導體靶材淺析

　　在當今及以后的半導體制造流程當中，濺射靶材無(wú)疑是重中之重的原材料，其質(zhì)量和純度對半導體產(chǎn)業(yè)鏈的后續生產(chǎn)質(zhì)量起著(zhù)關(guān)鍵性作用。

　　靶材，特別是高純度濺射靶材應用于電子元器件制造的物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)工藝，是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。

　　所謂濺射，是制備薄膜材料的主要技術(shù)，也是PVD的一種。它通過(guò)在PVD設備中用離子對目標物進(jìn)行轟擊，使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出，從而在晶圓表面沉積，濺鍍形成金屬薄膜，其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱(chēng)為濺射靶材。

　　相比PVD的另一種工藝——真空鍍膜，濺射鍍膜工藝可重復性好、膜厚可控制，可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜，所制備的薄膜具有純度高、致密性好、與基板材料的結合力強等優(yōu)點(diǎn)，已成為制備薄膜材料的主要技術(shù)。